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Amplificateur large bande GaAs 0,8-2 GHz, gain 33 dB, P-1 dB, 29 dBm Psat, 30 dBm +8 V pour radar et communication micro-ondes

52,90 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance large bande JZCHIP JZIPA-0012C-CQ5 GaAs 0,1-12 GHz, gain 13,5 dB, Psat 32 dBm, P-1 dB 30,5 dBm +12 V QFN5x5 Céramique RF

53,89 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Compatible avec le transistor de puissance NPN 2SC1947, composant électronique semi-conducteur à commutation haute fréquence

155,52-182,64 €
quantité minimum: 50 pièces
Techbridge Co., Limited
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Pièce de rechange pour module de semi-conducteur de puissance, compatible avec le module de diode haute puissance RM20C1A-12F

155,52-182,64 €
quantité minimum: 50 pièces
Techbridge Co., Limited
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Amplificateur large bande GaAs 0,8-2 GHz, gain 32 dB, P-1 dB, 29 dBm Psat, 30 dBm +8 V, hermétique pour radar et communication micro-ondes

51,99 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur large bande GaAs 6-18 GHz, gain 24,5 dB, P-1 dB, 31 dBm Psat, 31,5 dBm +5 V pour radar et communication micro-ondes

56,79 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance large bande JZCHIP JZIPA-0120-30-PQ5 0,1-20 GHz, gain 12 dB, P-1 dB, 28,5 dBm Psat, 29 dBm +10 V QFN5x5 pour applications haut débit

57,69 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Carte d'amplificateur audio numérique double canal TDA7297 12V 2*15W Stéréo DIY Système d'amplification sonore Module amplificateur de puissance AC/DC Circuits intégrés

0,5425-0,8138 €
quantité minimum: 1 pièce
Shenzhen Hongchuang Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance large bande 5-10,5 GHz, gain 27 dB, P-1 dB, 34 dBm Psat, 34,5 dBm, 38 % PAE, +8 V pour communication micro-ondes

52,81 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance à large bande, à gain élevé et à efficacité élevée, 2-6 GHz, gain de 19 dB, P-1 dB, 31 dBm, Psat 31,5 dBm +8 V pour la communication micro-ondes

50,82 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance large bande GaAs 2-6 GHz, gain 20 dB, P-1 dB, 30,5 dBm, Psat 31 dBm, +8 V pour radar et communication micro-ondes

59,05 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance large bande GaAs 2-6 GHz, gain 19,5 dB, P-1 dB, 32 dBm, +8 V, hermétique, pour radar et communication micro-ondes

56,70 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Paire de transistors amplificateurs audio MJE340 350 haute tension TO-126 MJE340 MJE350 Original

0,4883-0,5877 €
quantité minimum: 10 paires
300 vendus
Guangzhou City Yuexiu District Chao Yang Semiconductor Trading Firm (individual Business)
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Amplificateur de puissance large bande 0,1-20 GHz, gain 12 dB, P-1 dB, 28,5 dBm Psat 29 dBm +10 V pour communication haut débit

57,69 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance large bande GaAs 1-20 GHz, gain 12 dB, P-1 dB, 28,5 dBm Psat, 29,5 dBm +10 V pour communication RF

65,56 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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Amplificateur de puissance large bande GaAs 0,1-30 GHz, gain 14 dB, P-1 dB, 24 dBm Psat, 25 dBm +8 V pour communication large bande

57,60 €
quantité minimum: 10 pièces
Hefei JZ Chip Semiconductor Technology Co., Ltd.
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