Toutes les catégories
Sélections recommandées
Trade Assurance
Centre d'achat
Centre d'assistance
Télécharger l'application
Devenir fournisseur

Vente en gros KEC KTB778 KTD998 To-3p plastique NPN PNP 80W 120V 10A amplificateur de puissance audio transistor B778 D998 bom

Pas encore d’avis
Shenzhen Gihe Electronics Co., Ltd.Fornitore multi-specialità2 yrsCN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
KTB778
Type
RF TRANSISTOR
Marque nom
original

Autres attributs

Type de montage
Norme
Description
Amplificateur de puissance audio
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
Norme
Type
MOSFET
Température de fonctionnement
Norme
d/c
21 + ou 22 +
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM, L'agence, Détaillant, Autres
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Autres
品名
TRANSISTOR MOSFET
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Norme
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Norme
Courant-coupure de collecteur (Max)
Norme
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Norme
Puissance Max
Norme
Fréquence-Transition
Norme
Résistance-socle (R1)
Norme
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme
FET Type
Norme
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Norme
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Norme
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Vgs (th) (Max) @ Id
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Norme
Fréquence
Norme
Courant nominal (ampères)
Norme
Facteur de bruit
Norme
Alimentation-Sortie
Norme
Tension Nominale
Norme
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Norme
Vgs (Max)
Norme
Type IGBT
Norme
Configuration
Unique
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Norme
Entrée
Norme
Thermistance NTC
Norme
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Norme
Vidange de courant (Id)-Max
Norme
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Norme
Résistance-RDS (On)
Norme
Tension
Norme
Tension-Sortie
Norme
Tension-décalage (Vt)
Norme
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Norme
Courant-vallée (Iv)
Norme
Courant-Crête
Norme
Applications
OBJECTIF GÉNÉRAL
Transistor Type
N-canal JFET
Paquet
TO-3p
Numéro de la pièce
KTB778
Statut de la pièce
Actif
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL)
3 (168 heures)
Emballage
Plateau, bobine, mousse d'emballage, boîte
Encapsulation
Original
Condition
100% d'origine
Moyens de paiement
TT \ VISA \ MoneyGram \ PAYPAL \ Escrow

Délai

Quantité (pièce)1 - 1000010001 - 2500025001 - 50000 > 50000
Durée estimée (jours)3710À négocier

Personnalisation

Logo personnalisé
Commande min.: 10000
Emballage personnalisé
Commande min.: 10000
Personnalisation graphique
Commande min.: 10000

Description des produits par le fournisseur

50 - 199 pièce
13,37 SAR
200 - 499 pièce
12,99 SAR
>= 500 pièce
12,83 SAR

Variantes

Total des options :

Expédition

Les solutions d'expédition pour la quantité sélectionnée sont actuellement indisponibles

Avantages de l’adhésion

Remboursements rapidesVoir plus

Protections pour ce produit

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS

Politique de remboursement et Easy Return

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, si elle est manquante ou si elle présente des problèmes de produit, ainsi que des retours locaux gratuits en cas de défaut