Composants électroniques transistors mosfet diodes IGBT MODULES de puissance Thyristor SCR DSEI2X101-12A

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Brand: Ali
SKU: 1600880005409

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Shenzhen Bochuan Semiconductor Co., Ltd.

Fournisseur multi-spécialités3 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

DSEI2X101-12A

Type

Transistor d'IGBT, MODULE d'IGBT

Marque nom

nature

Type de paquet

MODULE D'IGBT

Autres attributs

Type de montage

Châssis de montage

Description

MODULE DE DIODE 1.2KV 91A SOT227B

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

SOT-227-4, miniBLOC

Série

DSEI2X101-12A

d/c

NOUVEAU

Application

Type de Fournisseur

Détaillant, Autres

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

DSEI2X101-12A

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Norme

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Norme

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Norme

Température de fonctionnement

-40 °C ~ 150 °C

Type de Support

Montage Sur châssis

Résistance-socle (R1)

Norme

Résistance-socle émetteur (R2)

Norme

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

Norme

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Norme

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Norme

Vgs (th) (Max) @ Id

Norme

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Norme

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Norme

Fréquence

Norme

Courant nominal (ampères)

Norme

Facteur de bruit

Norme

Alimentation-Sortie

Norme

Tension Nominale

Norme

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Norme

Vgs (Max)

Norme

Type IGBT

Norme

Configuration

Norme

Condition

Conforme à ROHS

Expédition par

DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ China Post

Application

Composants électroniques

Nom du produit

DSEI2X101-12A

Emballage et livraison

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Port

shenzheng/ hongkong

Unités de vente :

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Taille du paquet individuel :

14X10X10 cm

Poids brut par article :

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