Type de montage
Surface Mount
Description
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Point d'origine
Texas, United States
Package/Boîte
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type
MOSFET des FET uniques
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Application
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Type de Fournisseur
Pas pour les nouveaux designs
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de Support
Montage en Surface
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Caractéristique
MOSFET (oxyde métallique)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
1.9A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 20 V
Courant nominal (ampères)
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Applications
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Dissipation de puissance (Max)
280mW (Tj)
Paquet
Ruban & moulinet (TR), Bande découpée (CT),Digi-Reel
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Statut du produit
Pas pour les nouveaux designs
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Paquet/Étui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Quantité minimale de commande
1 Pcs
Qualité
Nouveau et original