Transistor TPWR8503NL L1Q N-CH MOSFET à canal N 30V 150A 8DSOP Montage en surface SOT-23-3 TO-236 Fournisseur de pièces passives

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

CN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

TPWR8503NL L1Q

Type

MOSFET

Marque nom

Original brand

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

Surface Mount

Description

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Point d'origine

Original

Package/Boîte

Avance 8-DSOP

Type

MOSFET

Température de fonctionnement

-55'''150

Série

TPWR8503NL

d/c

Le plus récent

Application

À Usage général

Type de Fournisseur

Détaillant

Référence croisée

-

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

N-Canal 30 V 150A (Tc) 800mW

Collecteur de courant (Ic) (Max)

1.1A

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

30V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

55 °C ~ 150 °C (TJ)

Courant-coupure de collecteur (Max)

1mA

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200mOhm @ 1.3A, 10V

Puissance Max

500mW (Ta)

Fréquence-Transition

Norme d'origine

Température de fonctionnement

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

Norme d'origine

Résistance-socle émetteur (R2)

0,85 mOhm

FET Type

N-canal

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

30 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

150A (Tc)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

0,85 mOhm

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

74 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6900 pF

Fréquence

-

Courant nominal (ampères)

1.1A

Facteur de bruit

Original

Alimentation-Sortie

142 W

Tension Nominale

30 V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

4.5V 10V

Vgs (Max)

20 V

Type IGBT

Norme d'origine

Configuration

Unique

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V 10V

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

6900 pF

Entrée

Originel

Thermistance NTC

-

Tension-panne (V (BR) GSS)

Na

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

150 A

Vidange de courant (Id)-Max

Norme originale 150 A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

1.3 V

Résistance-RDS (On)

1 mOhms

Tension

30 V

Tension-Sortie

15 V

Tension-décalage (Vt)

15 V

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

50A

Courant-vallée (Iv)

-

Courant-Crête

150 A

Applications

Usage général

Transistor Type

MOSFET

Quantité minimale de commande

1 bobine

PN

TPWR8503NL,L1Q

Technologie

N-canal

Qualité

100% Original 100% Marque

Vgs (Max)

± 20V

Drain à la tension de la source (Vdss)

30 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.85mOhm @ 50A10V

Dissipation de puissance (Max)

800mW (Ta), 142W (Tc)

Garantie

365 jours

Service de liste BOM

OUI

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Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

19X19X10 cm

Poids brut par article :

1.000 kg

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