TK25S06N1L LQ MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.

Fournisseur multi-spécialités15 yrs

CN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

TK25S06N1L LQ

Type

RF TRANSISTOR

Marque nom

hyst

Type de paquet

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Autres attributs

Type de montage

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Description

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Point d'origine

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Package/Boîte

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Type

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Température de fonctionnement

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Série

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d/c

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Application

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Type de Fournisseur

Fabricant d'origine, L'agence

品名

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Collecteur de courant (Ic) (Max)

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Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

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Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

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Courant-coupure de collecteur (Max)

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Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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Puissance Max

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Fréquence-Transition

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Température de fonctionnement

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Type de Support

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Résistance-socle (R1)

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Résistance-socle émetteur (R2)

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FET Caractéristique

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Vidange à la tension de la Source (Vdss)

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Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

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Rds sur (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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Fréquence

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Courant nominal (ampères)

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Facteur de bruit

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Alimentation-Sortie

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Tension Nominale

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Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

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Vgs (Max)

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Type IGBT

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Configuration

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

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Entrée

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Thermistance NTC

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Tension-panne (V (BR) GSS)

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Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

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Vidange de courant (Id)-Max

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Tension-coupure (VGS off) @ Id

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Résistance-RDS (On)

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Tension

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Tension-Sortie

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Tension-décalage (Vt)

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Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

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Courant-vallée (Iv)

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Courant-Crête

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Applications

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Transistor Type

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Condition

Original new 100%

Lead Free Status

RoHS Status

Shipping by

DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SF

Payment

Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance

Service

One-stop Service

Location

Shenzhen

Service Time

24 hours

MOQ

1 Pcs

The price of some parts is volatile

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Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

XX cm

Poids brut par article :

kg

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Quantité (pièce)	1 - 1000	> 1000
Durée estimée (jours)	15	À négocier

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