Application
Field effect MOS transistor
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM, L'agence, Détaillant, Other
Référence croisée
FQA9N90, FHA9N90, 9N90, 2SK2611
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Other
品名
MOSFET NPN 900V 9A TO-3P
Collecteur de courant (Ic) (Max)
9A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
900V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
9A900V
Courant-coupure de collecteur (Max)
9A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
9A900V
Fréquence-Transition
high frequency
Température de fonctionnement
-50°C ~ 175°C
Type de Support
Trou traversant
Résistance-socle (R1)
9A900V
Résistance-socle émetteur (R2)
9A900V
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
900V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
9A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
9A900V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
900V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9A900V
Courant nominal (ampères)
9A
Alimentation-Sortie
9A900V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
900V
Configuration
Onduleur à trois niveaux-IGBT, FET
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
9A900V
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
9A900V
Tension-panne (V (BR) GSS)
900V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
9A
Vidange de courant (Id)-Max
9A
Tension-coupure (VGS off) @ Id
9A900V
Résistance-RDS (On)
9A900V
Tension-décalage (Vt)
900V
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
9A