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RD30HVF1-101 nouveau transistor de puissance MOSFET en silicium d'origine 175MHz 30W pour les applications d'amplificateurs de puissance VHF RF

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Attributs clés

Autres attributs

Point d'origine
Japan
Marque nom
Original
Numéro de Type
RD30HVF1
Type de montage
Céramique
Description
Transistor de puissance MOSFET au silicium 175MHz 30W
Code Date de fabrication
21 +
Gain de puissance élevé
Pout>30W Gp> 14,7 dB @ Vdd = 12,5 V f = 175MHz
Haute efficacité
60% typ

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