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Sensah Power MOSFET, avec diode rapide, 30mn60nd,, I2PAK
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Shenzhen Gintech Electronic Trade Co., Limited
12 yrs
CN
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Attributs clés
Spécification de l'industrie de base.
Numéro de Type
STI30NM60N
Marque nom
ST
Type de paquet
Traversants
Autres attributs
Point d'origine
United States
Package/Boîte
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
品名
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de Support
Trou traversant
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
25A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 50V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Electronics Description
Power MOSFET (with fast diode)
Emballage et livraison
Détails d'emballage
Sealed package, tube, reel
Port
shenzhen
Capacité d'approvisionnement
Capacité d'approvisionnement
100 Morceau/Morceaux per Week
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