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      Nouveau composant électronique original MOS tube à effet de champ IGBT tube haute puissance NCE40TD120 NCE40TD120VTP

      Pas encore d’avis230 vendu(e)s
      Shenzhen Yunnuo Technology Co., Ltd.Fournisseur multi-spécialités4 yrsCN

      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      NCE40TD120VTP
      Type
      MOSFET
      Marque nom
      new original
      Type de paquet
      À-247

      Autres attributs

      Type de montage
      À travers
      Description
      Norme
      Point d'origine
      Afghanistan
      Package/Boîte
      À-247
      Type
      Transistor
      Température de fonctionnement
      Norme
      Série
      Norme
      d/c
      22 +
      Application
      Norme
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, ODM
      Référence croisée
      Norme
      Médias Disponibles
      Photo
      品名
      Norme
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      Norme
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      Norme
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      Norme
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      Norme
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Norme
      Puissance Max
      Norme
      Fréquence-Transition
      Norme
      Température de fonctionnement
      standard
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      Norme
      Résistance-socle émetteur (R2)
      Norme
      FET Type
      Norme
      FET Caractéristique
      Standard
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      Norme
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      Norme
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      Norme
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Norme
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      Norme
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      Norme
      Fréquence
      Norme
      Courant nominal (ampères)
      Norme
      Facteur de bruit
      Norme
      Alimentation-Sortie
      Norme
      Tension Nominale
      Norme
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      Norme
      Vgs (Max)
      Norme
      Type IGBT
      Norme
      Configuration
      Norme
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Norme
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      Norme
      Entrée
      Norme
      Thermistance NTC
      Norme
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      Norme
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Norme
      Vidange de courant (Id)-Max
      Norme
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      Norme
      Résistance-RDS (On)
      Norme
      Tension
      Norme
      Tension-Sortie
      Norme
      Tension-décalage (Vt)
      Norme
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      Norme
      Courant-vallée (Iv)
      Norme
      Courant-Crête
      Norme
      Applications
      Norme
      Transistor Type
      Norme
      Paiement
      Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
      Expédition PAR
      DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
      Paquet
      Étiquettes
      Condition
      100% d'origine
      TEMPS DE LEAD
      En stock
      Garantie
      Année 1
      Qualité
      100% Original 100% Marque
      Quantité minimale de commande
      10 Pcs
      Prix
      Le plus bas
      Fournisseur
      Shenzhen Yun Nuo Technology Co

      Emballage et livraison

      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      25X14X4 cm
      Poids brut par article :
      0.030 kg
      Afficher plus

      Délai

      Quantité (pièce)1 - 1011 - 100101 - 1000 > 1000
      Durée estimée (jours)333À négocier
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