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      Nouveau et Original Transistor Mosfet 23n50e Mosfet 23n50

      Pas encore d’avis#15Les plus populaires dans Transistors Pour Pilote Mosfet
      Shenzhen Chenpeng Trading Co., Ltd.2 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      FMH23N50E
      Type
      Circuit intégré
      Marque nom
      original
      Type de paquet
      Traversants

      Autres attributs

      Description
      Standard
      Point d'origine
      China
      Package/Boîte
      TO-3P
      d/c
      21 +
      Application
      MOSFET
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo
      品名
      23N50
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      -
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      -
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      -
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      -
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Puissance Max
      -
      Fréquence-Transition
      -
      Température de fonctionnement
      -
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      -
      Résistance-socle émetteur (R2)
      -
      FET Type
      -
      FET Caractéristique
      Standard
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      -
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      -
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Fréquence
      -
      Courant nominal (ampères)
      -
      Facteur de bruit
      -
      Alimentation-Sortie
      -
      Tension Nominale
      -
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Type IGBT
      -
      Configuration
      Inverseur Triphasé
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -
      Entrée
      -
      Thermistance NTC
      -
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Vidange de courant (Id)-Max
      -
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -
      Résistance-RDS (On)
      -
      Tension
      -
      Tension-Sortie
      -
      Tension-décalage (Vt)
      -
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -
      Courant-vallée (Iv)
      -
      Courant-Crête
      -
      Applications
      MOS PILOTE

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Boîte d'emballage
      Port
      Shenzhen

      Capacité d'approvisionnement

      Capacité d'approvisionnement
      50000 Morceau/Morceaux per Week
      Afficher plus

      Délai

      Quantité (pièce)1 - 3000030001 - 50000 > 50000
      Durée estimée (jours)35À négocier

      Description des produits par le fournisseur

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