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Transistor électronique Coponent 40N60 40N60 IGBT 40N60 Mosfet Igbt Mosfet TO-3P nouveau

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
40N60NPFD
Type
MOSFET
Marque nom
original
Type de paquet
Montage en Surface

Autres attributs

Description
Standard
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOIC-8
d/c
Date
Type de Fournisseur
L'agence, Fabricant d'origine, Détaillant
Médias Disponibles
Photo
品名
Vert mosfet
Collecteur de courant (Ic) (Max)
21.0 UN
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
30 V
Puissance Max
2.5 mW
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
21.0 UN
Courant nominal (ampères)
21.0 UN
Tension Nominale
30.0 V
Vidange de courant (Id)-Max
21.0 UN
Tension
30.0 V
Applications
PCB

Emballage et livraison

Détails d'emballage
Emballage antistatique, emballage Standard
Port
Shenzhen/Hongkong

Capacité d'approvisionnement

Capacité d'approvisionnement
50000 Morceau/Morceaux per Week

Délai

Quantité (pièce)1 - 3000030001 - 50000 > 50000
Durée estimée (jours)35À négocier

Description des produits par le fournisseur

Quantité minimale de commande 10 pièce
0,9216 € - 8,96 €

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