Mode d'amélioration du canal N MOSFET de puissance Transistor Mosfet 30v à canal N JMTP3008A SOP8 Mosfet ex-stock pour ups JMTP3008A

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Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.3 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

JMTP3008A

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

Standard

Description

Standard

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

SOP8

Type

MOSFET

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

d/c

Newest

Application

MOSFET

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine

Médias Disponibles

Photo, Fiche technique, Modèles EDA/cao

品名

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Collecteur de courant (Ic) (Max)

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Courant-coupure de collecteur (Max)

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Puissance Max

Fréquence-Transition

Température de fonctionnement

Type de Support

Trou traversant

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Type

N Channel

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

30V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

15A (Tc)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

8mΩ @ VGS =10V ; 14mΩ @ VGS =4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1116 pF @15V

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

20V

Type IGBT

Configuration

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Applications

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