Transistor MOSFET de puissance MOSFET Wafer China Chip Bare Die -60V -30A pour la gestion de l'alimentation et le redressement synchrone

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

AKMW70P06T01

Type

MOSFET WAFER

Marque nom

Aiko

Type de paquet

Meurs Nées

Autres attributs

Type de montage

Intégré

Description

P-canal, VDS =-60V, Plaquage au plomb sans Pb, RoHS conforme

Point d'origine

Zhejiang, China

Package/Boîte

Matrice nue

Type

Gaufrette MOSFET

Température de fonctionnement

-40 ℃ ~ + 175 ℃

Application

Rectification synchrone et gestion de la puissance

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine, ODM

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

MOSFET WAFER

Collecteur de courant (Ic) (Max)

-30A

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

-60V

Température de fonctionnement

25 ℃(Tj)

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

-60V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

-30A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

45miohm

Vgs (th) (Max) @ Id

-2.5v

Courant nominal (ampères)

-30A

Tension Nominale

-60V

Vgs (Max)

10V

Tension-panne (V (BR) GSS)

-70V

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

1-100uA

Vidange de courant (Id)-Max

-30A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

10V

Résistance-RDS (On)

<35miohm

Tension

-60V

Courant-Crête

-30A

Applications

Gestion de la puissance et rectification synchrone

Transistor Type

Gaufrette MOSFET

Taille de la plaquette

8 pouces

Épaisseur de gaufrette

6 mil

Meurt brut

6247

Ligne de scribe

60um

V(BR)DSS typ.

-70v

VGS(th) max

-1.8v

IDSS

1-100uA

5 Ohm

Application 1

Rectification synchrone

Application 2

Gestion de la puissance

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 100	101 - 1000	> 1000
Durée estimée (jours)	20	30	À négocier

Personnalisation

Logo personnalisé

Commande min.: 1000

Emballage personnalisé

Commande min.: 1000

Personnalisation graphique

Commande min.: 1000

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Description des produits par le fournisseur

5 - 999 pièce

120,00 $US

>= 1000 pièce

70,00 $US

Variantes

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