MOSFET IRF640N 18A 200V Mosfet de Puissance IRF640N
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Attributs clés
Spécification de l'industrie de base.
Numéro de Type
IRF640N
Marque nom
original brand
Type de paquet
Traversants
Autres attributs
Point d'origine
Guangdong, China
Type
Triode Transistor
Product name
IRF640N
Package
TO-220
Material
Silicon
Brand
original
Continuous Drain Current
18A
Vdss
200V
Power Dissipation
125W
Gate-Souse Voltage
±20V
Storage Temperature
-55~+150℃
Emballage et livraison
Détails d'emballage
100pieces/boxes or 500pieces/boxes
Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
1.5X1.5X1.5 cm
Poids brut par article :
0.020 kg
Délai
| Quantité (pièce) | 1 - 10000 | > 10000 |
| Durée estimée (jours) | 5 | À négocier |
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Échantillons
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Prix de l’échantillon :
0,20 $US/pièce
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0,20 $US
1000 - 4999 pièce
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>= 5000 pièce
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