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      Prix bas haute qualité SS8050 série 25 V 1.5 A à travers trou NPN transistor au silicium épitaxial S8050

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      Shenzhen Qihuawei Tech Co., Ltd.3 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      S8050
      Type
      MOSFET
      Marque nom
      JDP/Original Brand
      Type de paquet
      SMD/Inline

      Autres attributs

      Type de montage
      Trou à travers
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      SOT-23
      Type
      NPN - triode
      Température de fonctionnement
      /
      d/c
      19 + 20 +
      Application
      APPLICATIONS DE SORTIE HORIZONTALE TV COULEUR
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, ODM, L'agence
      Référence croisée
      S8550
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo
      品名
      Transistors
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      6 A
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      100V
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      1,5 V
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      0,7 mA
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      15
      Puissance Max
      65 W
      Fréquence-Transition
      3 MHz
      Température de fonctionnement
      -
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      -
      Résistance-socle émetteur (R2)
      -
      FET Type
      -, N-canal
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      800V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      25A
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Fréquence
      -
      Courant nominal (ampères)
      200mA
      Facteur de bruit
      -
      Alimentation-Sortie
      250W
      Tension Nominale
      40V
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      6V
      Vgs (Max)
      -
      Type IGBT
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -
      Entrée
      -
      Thermistance NTC
      -
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Vidange de courant (Id)-Max
      -
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -
      Résistance-RDS (On)
      -
      Tension
      -
      Tension-Sortie
      -
      Tension-décalage (Vt)
      -
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -
      Courant-vallée (Iv)
      -
      Courant-Crête
      -
      Applications
      PUISSANCE
      Technologie
      Si
      Prix
      Contactez-nous pour obtenir le prix le plus bas
      Fabricant:
      JDP/marque originale plz contactez-nous
      Catégorie
      Transistors
      Caractéristiques
      NPN,Vceo = 25V,Ic = 500mA
      Mode canal
      Amélioration
      Description fonctionnelle
      Transistors NPN au silicium
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      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Carton
      Port
      shenzhen
      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      15X15X5 cm
      Poids brut par article :
      0.500 kg

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