KT IRF 3205 MOSFET N-CH 55V 75A transistor TO-220AB

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Brand: Ali
SKU: 1601101815775

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Shenzhen Ketao Zhengpin Electronics Co., Ltd.2 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

IRF3205PBF

Type

P-Channel

Marque nom

Type de paquet

-Ic Transistor à effet de champ

Autres attributs

Type de montage

Surface Mount

Description

Point d'origine

China

Package/Boîte

À-236-3 SC-59 SOT-23-3

Type

P-Canal

Température de fonctionnement

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Série

2SC

d/c

2021

Application

Alimentation

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine, ODM, L'agence

Référence croisée

Autres

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao

品名

Collecteur de courant (Ic) (Max)

5.9A

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

20V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Autres

Courant-coupure de collecteur (Max)

Autres

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Autres

Puissance Max

1.4W

Fréquence-Transition

Autres

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

Autres

Résistance-socle émetteur (R2)

Autres

FET Type

P-Canal

FET Caractéristique

Carbure de silicium (SiC)

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

30V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

4A (Ta)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 4.3A 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250UA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 15V

Fréquence

Autres

Courant nominal (ampères)

5.9 A

Facteur de bruit

Autres

Alimentation-Sortie

1.4W

Tension Nominale

Autres

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

2.5V 10V

Vgs (Max)

± 12V

Type IGBT

N canal

Configuration

Unique

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Autres

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Autres

Entrée

1200pF @ 15V

Thermistance NTC

Autres

Tension-panne (V (BR) GSS)

Autres

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Autres

Vidange de courant (Id)-Max

Autres

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Autres

Résistance-RDS (On)

Autres

Tension

20V

Tension-Sortie

Autres

Tension-décalage (Vt)

Autres

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Autres

Courant-vallée (Iv)

Autres

Courant-Crête

Autres

Applications

Alimentation

Transistor Type

-Ic Transistor à effet de champ

Lieu d'origine

Guangdong Chine

Marque

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23

Application

MOSFET

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

1X1X1 cm

Poids brut par article :

1.900 kg

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