K3878 2SK3878 Mosfet Transistor n-channel 900V 9A 2SK3878(STA1 E S)

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.

Fabricant sur mesure4 yrs

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

2SK3878(STA1 E S)

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

SMD

Description

2SK3878

Point d'origine

China

Package/Boîte

SC-65

Type

Transistors

Série

Transistor

d/c

Nouveau

Application

Transistor Mosfet

Médias Disponibles

Fiche technique

品名

2SK3878(STA1 E S)

Puissance Max

150W

Type de Support

Montage en Surface

FET Type

N-canal

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

900V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Vgs (th) (Max) @ Id

1Ω @ 10V,4A

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2.2nF @ 25V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Applications

Marque

Original

Temps de stockage

3-5 jour

Adresse de livraison

Shenzhen

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 10000	> 10000
Durée estimée (jours)	3	À négocier

Personnalisation

PCBA

Commande min.: 1

SMT

Commande min.: 1

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Description des produits par le fournisseur

>= 1 pièce

1 660 IDR

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