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      Substrat de plaquette InP dispositifs électroniques haute fréquence haute puissance dispositifs optoélectroniques Diodes Laser Base InGaAs épitaxiale

      Pas encore d’avis
      Yunnan Lincang Xinyuan Germanium Industry Co., Ltd.2 yrsCN

      Attributs clés

      Autres attributs

      Point d'origine
      Yunnan, China
      Marque nom
      Xinyao Semiconductor
      Numéro de Type
      InP
      Type
      wafer
      Product name
      InP Wafer Substrate
      Application
      Electronics Devices Optoelectronics Devices
      Size
      2" 3" 4" 6''
      MOQ
      100 PCS
      Delivery Time
      30 Days
      Warranty
      6 Months
      Surface
      PE PP
      Pack
      EPI Ready
      Type/Dopant
      N & SI
      Grade
      Prime

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Emballage individuel

      Capacité d'approvisionnement

      Capacité d'approvisionnement
      20000 Morceau/Morceaux per Month
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      Quantité (pièce)1 - 100 > 100
      Durée estimée (jours)30À négocier

      Description des produits par le fournisseur

      >= 1000 pièce
      9 000,00 $US

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