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      IRLML2402TRPBF transistors canal N 20 V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) montage en surface Micro3 SOT-23

      Pas encore d’avis
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      IRLML2402TRPBF
      Type
      MOSFET
      Marque nom
      Original brand
      Type de paquet
      À-236-3 & SC-59 & SOT-23-3

      Autres attributs

      Type de montage
      Support de surface
      Description
      MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
      Point d'origine
      Original
      Package/Boîte
      À-236-3 & SC-59 & SOT-23-3
      Type
      N-canal
      Température de fonctionnement
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Série
      HEXFET
      d/c
      Le plus récent
      Application
      À Usage général
      Type de Fournisseur
      Détaillant
      Référence croisée
      IRLML2402GTRPBFCT
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
      品名
      Transistors
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      Norme
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      Norme
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      Norme
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      Norme
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Norme
      Puissance Max
      540mW (Ta)
      Fréquence-Transition
      Norme
      Température de fonctionnement
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Type de Support
      Montage en Surface
      Résistance-socle (R1)
      Original
      Résistance-socle émetteur (R2)
      Original
      FET Type
      N-canal
      FET Caractéristique
      Standard
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      20 V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      1.2 A (Ta)
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      Original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Original
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      3.9 nC @ 4.5 V
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      110 pF @ 15 V
      Fréquence
      Norme
      Courant nominal (ampères)
      Norme
      Facteur de bruit
      Norme
      Alimentation-Sortie
      540mW (Ta)
      Tension Nominale
      Norme
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      2.7V et 4.5V
      Vgs (Max)
      ± 12V
      Type IGBT
      Original
      Configuration
      Unique
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Original
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      Original
      Entrée
      Original
      Thermistance NTC
      Original
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      Original
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Original
      Vidange de courant (Id)-Max
      Original
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      Original
      Résistance-RDS (On)
      Original
      Tension
      Original
      Tension-Sortie
      Norme
      Tension-décalage (Vt)
      Norme
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      Norme
      Courant-vallée (Iv)
      Norme
      Courant-Crête
      Norme
      Applications
      Usage général
      Transistor Type
      N-canal
      Technologie
      MOSFET (oxyde métallique)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      250mOhm @ 930mA, 4.5V
      Vgs(th) (Max) @ Id
      700mV @ 250uA (Min)
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      110 pF @ 15 V
      Mode canal
      Amélioration
      Temps d'automne
      4.8 ns
      Transconductance vers l'avant-Min
      1.3 S
      Temps de montée
      9.5 ns
      Niveau de sensibilité d'humidité (MSL)
      1 (Illimité)
      Statut RoHS
      Conforme à la ROHS3

      Emballage et livraison

      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      19X19X10 cm
      Poids brut par article :
      1.000 kg
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      Délai

      Quantité (pièce)1 - 3000 > 3000
      Durée estimée (jours)15À négocier
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