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      Transistors IRFP 4668 TO247 IRFP4668PBF Transistor MOSFET canal N IRFP4668 4668PBF en stock

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      Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.7 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      IRFP4668PBF TO247
      Type
      MOSFET
      Marque nom
      YR
      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      Null
      Description
      Mosfet
      Point d'origine
      Jiangsu, China
      Package/Boîte
      To220, To247, To3P
      Série
      Transistor
      d/c
      NULLE
      Application
      Interrupteur d'alimentation Circuits
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, ODM, L'agence, Détaillant, Autres, Other
      Référence croisée
      IRFP4668PBF TO247, YR200N20A47 TO247
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Autres
      品名
      Transistor
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      100A
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      600V
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      Null
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      100A
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Null
      Puissance Max
      6W
      Fréquence-Transition
      Null
      Température de fonctionnement
      -55 à 150 ℃
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      Null
      Résistance-socle émetteur (R2)
      Null
      FET Type
      Null
      FET Caractéristique
      Carbure de silicium (SiC)
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      Null
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      Null
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      Null
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Null
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      Null
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      Null
      Fréquence
      Null
      Courant nominal (ampères)
      Null
      Facteur de bruit
      Null
      Alimentation-Sortie
      Null
      Tension Nominale
      Null
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      Null
      Vgs (Max)
      Null
      Type IGBT
      Null
      Configuration
      Unique
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      Null
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      Null
      Entrée
      Null
      Thermistance NTC
      Null
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      Null
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Null
      Vidange de courant (Id)-Max
      Null
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      Null
      Résistance-RDS (On)
      Null
      Tension
      Null
      Tension-Sortie
      Null
      Tension-décalage (Vt)
      Null
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      Null
      Courant-vallée (Iv)
      Null
      Courant-Crête
      2A
      Applications
      Null
      Transistor Type
      Igbt
      Jonction au cas (DC)
      1.3 ℃/W
      Rth(j-a)
      60 ℃/W
      Tension de la porte de crête
      5V
      VDRM/VRRM
      600V
      IT(AV)
      8A
      IT(RMS)
      12A
      ITSM
      100-110A
      Expédition
      DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
      Dit/dt
      50A/nous
      Courant de pointe
      2A

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      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      52X11X9 cm
      Poids brut par article :
      6.000 kg
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      Quantité (boîte)1 - 12 - 1011 - 1000 > 1000
      Durée estimée (jours)71422À négocier
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