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      IRFB3207PBF Nouveau et Original YC (Stock de puces IC de Circuits intégrés de composants électroniques) IRFB3207PBF

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      Shenzhen Yechen Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      IRFB3207PBF
      Type
      Transistor de puissance
      Marque nom
      Original
      Type de paquet
      Original

      Autres attributs

      Type de montage
      Norme, Norme
      Description
      TRANSISTOR
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      L'original
      Type
      MOS
      Température de fonctionnement
      Norme, Norme
      Série
      MOS
      d/c
      23 +
      Application
      Autres
      Type de Fournisseur
      L'original
      Référence croisée
      L'original
      Médias Disponibles
      L'original
      品名
      IRFB3207PBF
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      L'original
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      L'original
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      L'original
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      L'original
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      L'original
      Puissance Max
      Norme
      Fréquence-Transition
      L'original
      Température de fonctionnement
      Standard, température normale
      Type de Support
      L'original
      Résistance-socle (R1)
      L'original
      Résistance-socle émetteur (R2)
      L'original
      FET Type
      Norme
      FET Caractéristique
      L'original
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      L'original
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      Norme
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      L'original
      Vgs (th) (Max) @ Id
      L'original
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      Norme
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      L'original
      Fréquence
      L'original
      Courant nominal (ampères)
      L'original
      Facteur de bruit
      Norme
      Alimentation-Sortie
      Norme
      Tension Nominale
      L'original
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      L'original
      Vgs (Max)
      Norme
      Type IGBT
      Norme
      Configuration
      Norme
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      L'original
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      Norme
      Entrée
      Norme
      Thermistance NTC
      L'original
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      L'original
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Norme
      Vidange de courant (Id)-Max
      L'original
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      Norme
      Tension
      L'original
      Tension-Sortie
      L'original
      Tension-décalage (Vt)
      L'original
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      L'original
      Courant-vallée (Iv)
      L'original
      Courant-Crête
      L'original
      Applications
      L'original
      Transistor Type
      L'original
      Délai d'exécution
      1-7 jour
      Fournisseur
      Shenzhen Huanxin Technology Co., Ltd.
      Emballage
      Norme
      Afficher plus

      Délai

      Quantité (pièce)1 - 1000 > 1000
      Durée estimée (jours)3À négocier

      Personnalisation

      Logo personnalisé
      Commande min.: 10000
      Emballage personnalisé
      Commande min.: 10000
      Personnalisation graphique
      Commande min.: 10000
      Pour plus de détails de personnalisation, envoyez un message au fournisseur

      Description des produits par le fournisseur

      10 - 99 pièce
      1,12 €
      100 - 999 pièce
      0,8252 €
      >= 1000 pièce
      0,7418 €

      Variantes

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