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Réfractaire à haute température plaque de carbure de silicium
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Attributs clés
Spécification de l'industrie de base.
Contenu SiO2 (%)
0
Contenu Al2O3 (%)
0
Contenu MgO (%)
0
Contenu de CaO (%)
0
Contenu CrO (%)
0
Contenu de Sic (%)
95.8
Autres attributs
Point d'origine
Shanghai, China
Forme
Plaque
Matériel
Carbure de silicium (SiC)
Caractère réfractaire (degré)
Super-Class (Refractoriness> 2000°)
Numéro de Type
ST-T0001
Marque nom
ST
SiC Content
98.5%
Packing
case
Application
Melting Metal
Size
Customers' Requests
Using temperature:
1200-1650℃
Material:
Silicon Carbide (SiC)
Sample
available
density
2.65g/cm3
Shipping
1-30 days
Name
High temperature refractory
Emballage et livraison
Détails d'emballage
Put in wood box padded with foam board
Port
SHANGHAI
Capacité d'approvisionnement
Capacité d'approvisionnement
10000 Morceau/Morceaux per Month
Délai
| Quantité (pièce) | 1 - 10000 | > 10000 |
| Durée estimée (jours) | 20 | À négocier |
Description des produits par le fournisseur
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424,41 ₹ - 848,81 ₹Quantité
Expédition
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