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HGT1S7N60B3DS 14 A 600 V UFS N-CHANNEL IGBT HGT1S7N60B TO-263-3, D2Pak (2 fils + onglet), TO-263AB

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
HGT1S7N60B3DS
Type
Transistor IGBT
Marque nom
Original
Type de paquet
Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage
Surface Mount
Description
14 A 600 V UFS N-CHANNEL IGBT
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-263-3, D² Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type
IGBT
Température de fonctionnement
-
Série
IGBT
d/c
-
Application
-
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM
Référence croisée
-
Médias Disponibles
Fiche technique
品名
-
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
-
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Température de fonctionnement
-
Type de Support
Montage Sur châssis
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
--
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Applications
-
Transistor Type
-
Numéro de la pièce
HGT1S7N60B3DS
Fabricant
Harris Corporation
Qualité
Tout neuf
Délai
1-2Jours
Quantité minimale de commande
1

Emballage et livraison

Détails d'emballage
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Port
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Capacité d'approvisionnement
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