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      Bon prix 10N60 IGBT Transistor simple 20A 600V 110W SMD PG-TO263-3-2 IGB10N60

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      Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.Fournisseur multi-spécialités3 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      IGB10N60TATMA1
      Type
      STANDARD
      Marque nom
      Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
      Type de paquet
      NORME

      Autres attributs

      Type de montage
      NORME
      Description
      NORME
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      NORME
      Type
      NORME
      Température de fonctionnement
      NORME
      Série
      NORME
      d/c
      NORME
      Application
      NORME
      Type de Fournisseur
      NORME
      Référence croisée
      NORME
      Médias Disponibles
      NORME
      品名
      NORME
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      NORME
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      NORME
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      NORME
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      NORME
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      NORME
      Puissance Max
      110W
      Fréquence-Transition
      430uJ
      Température de fonctionnement
      -40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
      Type de Support
      STANDARD
      Résistance-socle (R1)
      NORME
      Résistance-socle émetteur (R2)
      NORME
      FET Type
      NORME
      FET Caractéristique
      NORME
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      NORME
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      NORME
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      NORME
      Vgs (th) (Max) @ Id
      NORME
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      NORME
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      NORME
      Fréquence
      NORME
      Courant nominal (ampères)
      NORME
      Facteur de bruit
      NORME
      Alimentation-Sortie
      NORME
      Tension Nominale
      NORME
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      NORME
      Vgs (Max)
      NORME
      Type IGBT
      NORME
      Configuration
      NORME
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      NORME
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      NORME
      Entrée
      NORME
      Thermistance NTC
      NORME
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      NORME
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      NORME
      Vidange de courant (Id)-Max
      NORME
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      NORME
      Résistance-RDS (On)
      NORME
      Tension
      NORME
      Tension-Sortie
      NORME
      Tension-décalage (Vt)
      NORME
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      NORME
      Courant-vallée (Iv)
      NORME
      Courant-Crête
      NORME
      Applications
      NORME
      Transistor Type
      NORME

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Emballage en carton conventionnel
      Afficher plus

      Délai

      Quantité (pièce)1 - 1011 - 50000 > 50000
      Durée estimée (jours)710À négocier

      Personnalisation

      Logo personnalisé
      Commande min.: 10000
      Emballage personnalisé
      Commande min.: 10000
      Personnalisation graphique
      Commande min.: 10000
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      Description des produits par le fournisseur

      >= 1 pièce
      0,01 $US

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