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FMMT591ATA Transistor bipolaire (BJT) PNP 40 V 1 A 150MHz 500 mW montage en surface SOT-23-3 transistor d2553

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
FMMT591ATA
Type
Transistor bipolaire
Marque nom
Original Brand
Type de paquet
TO-236-3 & SC-59 & SOT-23-3

Autres attributs

Type de montage
Surface Mount
Description
TRANSISTORS PNP 40V 1A SOT23-3
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
Type
PNP
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
d/c
Newest
Application
À Usage général
Type de Fournisseur
Détaillant
Référence croisée
FMMT591ACT-NDR
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
品名
Transistors
Collecteur de courant (Ic) (Max)
1 A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
40 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA,1A
Courant-coupure de collecteur (Max)
100nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 5V
Puissance Max
500 mW
Fréquence-Transition
150MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de Support
Montage en Surface
Résistance-socle (R1)
Standard
Résistance-socle émetteur (R2)
Standard
FET Type
PNP
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Original
Vgs (th) (Max) @ Id
Original
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Fréquence
150MHz
Courant nominal (ampères)
1 A
Facteur de bruit
Standard
Alimentation-Sortie
500 mW
Tension Nominale
40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
40 V
Vgs (Max)
Standard
Type IGBT
Standard
Configuration
Unique
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Original
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Original
Entrée
Original
Thermistance NTC
Original
Tension-panne (V (BR) GSS)
40 V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Original standard
Vidange de courant (Id)-Max
Original standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Original standard
Résistance-RDS (On)
Original standard
Tension
40 V
Tension-Sortie
40 V
Tension-décalage (Vt)
40 V
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
1 A
Courant-vallée (Iv)
1 A
Courant-Crête
1 A
Applications
General Purpose
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
Configuration
Single
Emitter- Base Voltage VEBO
7V
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Supplier Temperature Grade
Automotive
Pin Count
3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Standard Package
3000pcs/Reel

Emballage et livraison

Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
19X19X10 cm
Poids brut par article :
1.000 kg

Délai

Quantité (pièce)1 - 3000 > 3000
Durée estimée (jours)15À négocier
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Quantité de commande maximale : 100 pièce
Prix de l’échantillon :
0,5564 €/pièce

Personnalisation

Emballage personnalisé
Commande min.: 3000

Description des produits par le fournisseur

1 - 9 pièce
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>= 10 pièce
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Variantes

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