Transistors FDS9435A canal P 30 V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) pièces de canal mosfet 8-SOIC à montage en surface

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

FDS9435A

Type

MOSFET

Marque nom

Original Brand

Type de paquet

8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)

Autres attributs

Type de montage

Surface mount

Description

MOSFET P-Channel 30V 5.3A 8SOIC

Point d'origine

Original

Package/Boîte

8-SOIC (0.154" 3.90mm Width)

Type

P-Channel

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Série

PowerTrench

d/c

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Application

À Usage général

Type de Fournisseur

Détaillant

Référence croisée

ONSONSFDS9435A

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao

品名

Transistors

Collecteur de courant (Ic) (Max)

Standard

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

10 V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Standard

Courant-coupure de collecteur (Max)

5.3 A

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Original

Puissance Max

2.5W (Ta)

Fréquence-Transition

Standard

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

Standard

Résistance-socle émetteur (R2)

Standard

FET Type

P-Channel

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

30 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

5.3A (Ta)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

4.5V, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

528 pF @ 15 V

Fréquence

Original

Courant nominal (ampères)

5.3A

Facteur de bruit

Original

Alimentation-Sortie

2.5W (Ta)

Tension Nominale

10 V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±25V

Type IGBT

Original

Configuration

Unique

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Original

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Original

Entrée

Original

Thermistance NTC

Standard

Tension-panne (V (BR) GSS)

10V

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

5.3A

Vidange de courant (Id)-Max

5.3A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

10V

Résistance-RDS (On)

Standard

Tension

10V

Tension-Sortie

10V

Tension-décalage (Vt)

10V

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Standard

Courant-vallée (Iv)

Standard

Courant-Crête

Standard

Applications

General Purpose

Transistor Type

P-Channel

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.3A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

528 pF @ 15 V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Number of Channels

1 Channel

Rds On - Drain-Source Resistance

50 mOhms

Qg - Gate Charge

10 nC

Channel Mode

Enhancement

Tradename

PowerTrench

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

19X19X10 cm

Poids brut par article :

1.000 kg

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