FDMC6890NZ MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33 6-WDFN

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Brand: Ali
SKU: 1600923420887

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Shenzhen Zhancheng Technology Co., Ltd.9 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

FDMC6890NZ

Type

MOSFET

Marque nom

original

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Type de montage

Surface Mount

Description

MOSFET 2N-CH 20V 4A POWER33

Point d'origine

Mexico

Package/Boîte

6-WDFN

Température de fonctionnement

-40~170℃

d/c

NEW

Application

MOSFET

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine

Médias Disponibles

Fiche technique

品名

MOSFET

Collecteur de courant (Ic) (Max)

N/A

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

N/A

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

N/A

Courant-coupure de collecteur (Max)

N/A

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

N/A

Puissance Max

N/A

Fréquence-Transition

N/A

Température de fonctionnement

-55~170℃

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

N/A

Résistance-socle émetteur (R2)

N/A

FET Type

N/A

FET Caractéristique

N/A

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

20V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

N/A

Vgs (th) (Max) @ Id

N/A

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

N/A

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

N/A

Fréquence

N/A

Courant nominal (ampères)

N/A

Facteur de bruit

N/A

Alimentation-Sortie

1.92W, 1.78W

Tension Nominale

N/A

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

68mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (Max)

N/A

Type IGBT

N/A

Configuration

Unique

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

N/A

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

N/A

Entrée

N/A

Thermistance NTC

N/A

Tension-panne (V (BR) GSS)

N/A

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/A

Vidange de courant (Id)-Max

N/A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

N/A

Résistance-RDS (On)

N/A

Tension

N/A

Tension-Sortie

N/A

Tension-décalage (Vt)

N/A

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

N/A

Courant-vallée (Iv)

N/A

Courant-Crête

N/A

Applications

N/A

Transistor Type

N/A

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Quantité (pièce)	1 - 1	2 - 1000	1001 - 10000	> 10000
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