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      Composants électroniques micro-ondes radiofréquence triode puissance SIP RD04HMS2-T112 effet de champ

      5.0(1 review)      5 commandes
      Shenzhen Qihuawei Tech Co., Ltd.3 yrsCN

      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      RD04HMS2

      Type
      MOSFET

      Marque nom
      original brand

      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      Trou à travers

      Description
      Transistor MOSFET

      Point d'origine
      Guangdong, China

      Package/Boîte
      À-220

      Type
      TRANSISTOR RF

      Température de fonctionnement
      150 °C(TJ)

      Série
      TK58

      d/c
      Nouveau

      Application
      Haute fréquence

      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, ODM, L'agence

      Référence croisée
      MMBT3904

      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao

      品名
      Triode radiofréquence

      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      58A

      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      60V

      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      2.4V @ 15V,40A

      Courant-coupure de collecteur (Max)
      80A

      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      15

      Puissance Max
      110W

      Fréquence-Transition
      3 MHz

      Température de fonctionnement
      -

      Type de Support
      Trou traversant

      Résistance-socle (R1)
      -

      Résistance-socle émetteur (R2)
      -

      FET Type
      N canal

      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      60V

      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      58A

      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      5.4 ohm @ 29A,10V

      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 500uA

      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      46 nC @ 10 V

      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      3400 pF @ 30 V

      Fréquence
      -

      Courant nominal (ampères)
      200mA

      Facteur de bruit
      -

      Alimentation-Sortie
      110W

      Tension Nominale
      40V

      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      10V

      Vgs (Max)
      ± 20V

      Type IGBT
      Champ en tant que

      Configuration
      Unique

      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      2.4V @ 15V,40A

      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -

      Entrée
      -

      Thermistance NTC
      -

      Tension-panne (V (BR) GSS)
      600V

      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -

      Vidange de courant (Id)-Max
      -

      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -

      Résistance-RDS (On)
      -

      Tension
      -

      Tension-Sortie
      -

      Tension-décalage (Vt)
      -

      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -

      Courant-vallée (Iv)
      -

      Courant-Crête
      -

      Applications
      Alimentation

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      Garantie
      365 jours

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      T/T,Western Union,MoneyGram,Paypal,Alipay ,Escrow

      Vendre d'autres séries
      TGL40N120FD FGL40N120ANTU FGL12040WD FGL40N120AND

      Vendre d'autres pièces
      SGL160N60UFDTU GT50J301 2SC5301 FGL40N120AND

      Vendre d'autres types
      FARICHILD 1MBH30D-060 MBK40N120NDH IXFK44N50

      Vendre d'autres sortes
      FJL4315OTU APT38F80L 2SK1520-EQ IXFK48N60P

      Vendre circuit intégré analogique
      Régulateur de tension intégré amplificateur de puissance amplificateur opérationnel

      Vendre différentes spécifications d'IC
      Amplificateur pilote convertisseur microcontrôleur mémoire logique programmable

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      3 ansSitué dans CN
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