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      Modules d'alimentation IGBT EC-Mart SKM200GB128 SKM200GB128D

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      EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      SKM200GB128D
      Type
      Transistor bipolaire
      Marque nom
      original brand
      Type de paquet
      Traversants

      Autres attributs

      Type de montage
      Trou à travers
      Description
      Transistor
      Point d'origine
      California, United States
      Package/Boîte
      À-247-3
      Série
      SKM200GB128D
      d/c
      Nouveau
      品名
      SKM200GB128D
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      -
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      --
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      -
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      -
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Puissance Max
      -
      Fréquence-Transition
      -
      Température de fonctionnement
      -
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      --
      Résistance-socle émetteur (R2)
      -
      FET Type
      -
      FET Caractéristique
      --
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      -
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Fréquence
      -
      Courant nominal (ampères)
      -
      Facteur de bruit
      -
      Alimentation-Sortie
      --
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      --
      Type IGBT
      -
      Configuration
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -
      Entrée
      -
      Thermistance NTC
      -
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -
      Résistance-RDS (On)
      -
      Tension
      -
      Tension-Sortie
      -
      Tension-décalage (Vt)
      -
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -
      Courant-vallée (Iv)
      -
      Courant-Crête
      -
      Applications
      -
      Paquet/Étui
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      Délai d'exécution
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      Délai

      Quantité (pièce)1 - 1000 > 1000
      Durée estimée (jours)5À négocier

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      Emballage personnalisé
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