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      EC-Mart nouveau MODULE IGBT demi-pont 62MM d'origine BSM200GB120DLC

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      EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      BSM200GB120DLC
      Type
      Transistor IGBT
      Marque nom
      original
      Type de paquet
      /

      Autres attributs

      Type de montage
      /
      Description
      MOSFET
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      /
      Série
      BSM200GB120DLC
      d/c
      Nouveau
      品名
      BSM200GB120DLC
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      -
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      --
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      -
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      -
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Puissance Max
      -
      Fréquence-Transition
      -
      Température de fonctionnement
      -
      Type de Support
      /
      Résistance-socle (R1)
      --
      Résistance-socle émetteur (R2)
      -
      FET Type
      -
      FET Caractéristique
      --
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      -
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Fréquence
      -
      Courant nominal (ampères)
      -
      Facteur de bruit
      -
      Alimentation-Sortie
      --
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      --
      Type IGBT
      -
      Configuration
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -
      Entrée
      -
      Thermistance NTC
      -
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -
      Résistance-RDS (On)
      -
      Tension
      -
      Tension-Sortie
      -
      Tension-décalage (Vt)
      -
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -
      Courant-vallée (Iv)
      -
      Courant-Crête
      -
      Applications
      -
      Voltage collecteur-émetteur VCEO Max:
      1,2 kV
      Collecteur-Émetteur Tension de Saturation
      2.1 V
      Courant de collecteur continu à 25 C
      420 A
      Courant de fuite de porte-émetteur
      400 nA
      Pd-Dissipation de puissance
      1550 W
      Paquet/Étui
      62mm
      Température de fonctionnement minimale
      -40 C
      Température de fonctionnement maximale
      + 125 C
      Tension maximale d'émetteur de porte
      20 V

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      ESD/vide/mousse/carton
      Port
      Shenzhen / Hongkong

      Capacité d'approvisionnement

      Capacité d'approvisionnement
      999999 Morceau/Morceaux per Day
      Afficher plus

      Délai

      Quantité (pièce)1 - 999999 > 999999
      Durée estimée (jours)1À négocier

      Personnalisation

      Emballage personnalisé
      Commande min.: 999999
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