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      DTC114EET1G Transistors bipolaires à petit signal numérique BJT NPN 50V 100mA 300mW 3 broches SOT-416 circuits intégrés DTC114EET1G

      Pas encore d’avis
      Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      DTC114EET1G
      Type
      MOSFET
      Marque nom
      Original
      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      Standard
      Description
      Standard
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      SC-75, SOT-416
      Type
      Bipolar Transistor
      Température de fonctionnement
      -55℃ ~ 150℃
      d/c
      NEW
      Application
      Power Management, Industrial
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, Other
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Other
      品名
      TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      100mA
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      50V
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      250mV @ 300uA, 10mA
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      500nA
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      35 @ 5mA, 10V
      Puissance Max
      200mW
      Fréquence-Transition
      50MHz
      Température de fonctionnement
      -
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      10 kOhms
      Résistance-socle émetteur (R2)
      10 kOhms
      FET Type
      N-Channel
      FET Caractéristique
      Sans Objet
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      100V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      170mA (Ta)
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      6Ohm @ 100mA, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2.6V @ 1mA
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      180nC @ 10V
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      20pF @ 25V
      Fréquence
      -
      Courant nominal (ampères)
      70.0 mA
      Facteur de bruit
      -
      Alimentation-Sortie
      200 mW
      Tension Nominale
      50.0 V
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      10V
      Vgs (Max)
      ±20V
      Type IGBT
      -
      Configuration
      Sans Objet
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -
      Entrée
      -
      Thermistance NTC
      -
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Vidange de courant (Id)-Max
      -
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -
      Résistance-RDS (On)
      -
      Tension
      50.0 V
      Tension-Sortie
      ≥300 mV
      Tension-décalage (Vt)
      -
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -
      Courant-vallée (Iv)
      -
      Courant-Crête
      -
      Applications
      Power Management, Industrial
      Bom Service
      Available
      Product type
      Electronic Component
      Price
      Factory Price
      Grade
      High Quality
      Position
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      Délai

      Quantité (pièce)1 - 10001001 - 10000 > 10000
      Durée estimée (jours)37À négocier

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      1 - 99 pièce
      12 731 ₫
      100 - 999 pièce
      10 185 ₫
      >= 1000 pièce
      7 639 ₫

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