Description
Tranchée technologie FS, Faible VCE(sat), Faible EMI, Faible perte de commutation
Température de fonctionnement
-40 ℃ ~ + 150 ℃
Application
Convertisseurs et pilotes de puissance
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
TRANSISTOR IGBT WAFER AKGW75T120S2
Collecteur de courant (Ic) (Max)
75A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
1200V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
1,9 V
Température de fonctionnement
-40℃~+150℃
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
365nC
Courant nominal (ampères)
75A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
5200pF
Applications
OBJECTIF GÉNÉRAL
Transistor Type
Plaquette IGBT
Taille de la plaquette
8 pouces
Épaisseur de gaufrette
120 ± 10um
Courant collecteur pulsé
225A