CXCW P55NF06 P55NF06L STP55NF06 50A 60V TO-220 MOSFET transistor ic puce transistor thyristor triode scr mosfet

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Shenzhen Cxcw Electronic Co., Ltd.

Fournisseur de marque propre10 yrs

CN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

STP60NF06

Type

JFET

Marque nom

ALL BRAND

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Type de montage

Transistor p60nf06

Description

Transistor

Point d'origine

Florida, United States

Package/Boîte

Trou de poussée

Type

Transistor p60nf06

Série

Transistor MOSFET

d/c

Norme

Application

MOSFET

Type de Fournisseur

L'agence

Référence croisée

Transistor p60nf06

Médias Disponibles

Photo

品名

Transistor MOSFET

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Norme

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Norme

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Norme

Température de fonctionnement

Norme

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

Norme

Résistance-socle émetteur (R2)

Norme

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

Norme

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Norme

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Norme

Vgs (th) (Max) @ Id

Norme

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Norme

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Norme

Fréquence

Norme

Courant nominal (ampères)

Norme

Facteur de bruit

Norme

Alimentation-Sortie

Norme

Tension Nominale

Norme

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Norme

Vgs (Max)

Norme

Type IGBT

Norme

Configuration

Norme

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Norme

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Norme

Entrée

Norme

Thermistance NTC

Norme

Tension-panne (V (BR) GSS)

Norme

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Norme

Vidange de courant (Id)-Max

Norme

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Norme

Résistance-RDS (On)

Norme

Tension

Norme

Tension-Sortie

Norme

Tension-décalage (Vt)

Norme

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Norme

Courant-vallée (Iv)

Norme

Courant-Crête

Norme

Applications

Norme

Transistor Type

P55NF06 P55NF06L STP55NF06

Type

Transistor à effet de champ

Nom du produit

Transistor p60nf06

Emballage et livraison

Détails d'emballage

Bobine ou Tube
Transistor MOSFET p60nf06 STP60NF06 à 220

Port

Shenzhen

Capacité d'approvisionnement

Capacité d'approvisionnement

10000 Morceau/Morceaux per Day

Délai

Quantité (pièce)	1 - 30000	30001 - 60000	> 60000
Durée estimée (jours)	3	5	À négocier

Personnalisation

Logo personnalisé

Commande min.: 1000000

Emballage personnalisé

Commande min.: 1000000

Personnalisation graphique

Commande min.: 1000000

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>= 100 pièce

0,3292 €

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