COPOER – puces IC 40N20 MOSFET N-CH MOS 40A 200V à-220, effet déposé, composants électroniques, liste BOM

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Shenzhen Hongwei Electronics Ltd

Fournisseur multi-spécialités3 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

FHP40N20

Type

Puissance MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

À-220

d/c

Nouveau

Application

ICs-SMT-PCBA

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine, ODM, L'agence, Détaillant

Médias Disponibles

Fiche technique

品名

MOSFET N-CH MOS 40A 200V

Collecteur de courant (Ic) (Max)

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Courant-coupure de collecteur (Max)

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Puissance Max

Fréquence-Transition

Température de fonctionnement

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Type

N-Canal

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

200V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Type IGBT

Configuration

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

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