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ANBON TO-247-3 Transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium SiC 1700V 5A AS1M01K170P

Pas encore d’avis
Shenzhen Anbon Semiconductor Co., Ltd.Fournisseur multi-spécialités5 yrsCN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
AS1M01K170P
Type
MOSFET
Marque nom
Anbon
Type de paquet
Traversants

Autres attributs

Type de montage
Trou à travers
Description
Transistor Mosfet SiC AS1M01K170P
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
À-247-3
Application
MOSFET
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine
Médias Disponibles
Fiche technique
Puissance Max
69W
Température de fonctionnement
-55 ℃ à + 150 ℃
Type de Support
Trou traversant
FET Type
N-canal
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1700V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
5A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1300mR @ 20V/2A
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21.8nC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
186pF
Type de diode
Transistor SiC Mosfet
Paquet
À-247-3

Emballage et livraison

Détails d'emballage
Emballage scellé et robuste

Capacité d'approvisionnement

Capacité d'approvisionnement
25000000 Morceau/Morceaux per Month

Personnalisation

Customized Design
Commande min.: 10000000

Description des produits par le fournisseur

>= 1 pièce
57,35 THB

Variantes

Total des options :

Expédition

Les solutions d'expédition pour la quantité sélectionnée sont actuellement indisponibles

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