8N150 – Transistor Mosfet n-channel 1500 V 8A (Tc) 700W (Tc) DIP TO-264

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.

Fabricant sur mesure3 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

IXTK8N150L

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Trou à travers

Autres attributs

Type de montage

Trou à travers

Description

Transistor d'origine

Point d'origine

China

Package/Boîte

À-264-3 TO-264AA

d/c

Nouveau

Application

Transistor Mosfet

Médias Disponibles

Fiche technique

品名

IXTK8N150L

Puissance Max

700W (Tc)

Température de fonctionnement

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Type de Support

Trou traversant

FET Type

N-canal

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

1500 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

8A (Tc)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 4A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

8V @ 250uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

250 nC @ 15 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8000 pF @ 25 V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

20V

Vgs (Max)

± 30V

Applications

Marque

Original

Temps de stockage

3-5 jour

Adresse de livraison

Shenzhen

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 10000	> 10000
Durée estimée (jours)	3	À négocier

Description des produits par le fournisseur

>= 1 pièce

3,43 TRY

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