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Transistor épitaxial au silicium 2SC1815-GR NPN TO-92 circuits intégrés puce IC chaude
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Attributs clés
Spécification de l'industrie de base.
Numéro de Type
00785
Type
Transistor bipolaire
Marque nom
TEJIATE
Type de paquet
Montage en Surface
Autres attributs
Type de montage
Surface Mount
Description
-
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
Sot-23
Type
NPN
Température de fonctionnement
-55-150 ℃
d/c
-
Application
Amplificateur
Type de Fournisseur
-
Médias Disponibles
Fiche technique
品名
-
Collecteur de courant (Ic) (Max)
150mA
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Température de fonctionnement
-
Type de Support
-
Résistance-socle (R1)
-
Résistance-socle émetteur (R2)
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
80
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type IGBT
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Paiement
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Quantité minimale de commande
1 Pcs
Emballage et livraison
Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
5X5X5 cm
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