2N7002K-T1-GE3 1 Transistors à canal N FET MOSFET FET simples Produits semi-conducteurs discrets MOSFET (oxyde métallique) MOSFET de puissance

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

CN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

2N7002K-T1-GE3

Type

MOSFET

Marque nom

original brand

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

Surface Mount

Description

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236

Point d'origine

original

Package/Boîte

TO-236-3 SC-59 SOT-23-3

Type

N-Channel

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Série

TrenchFET

d/c

newest

Application

À Usage général

Type de Fournisseur

Détaillant

Référence croisée

2N7002K-T1-GE3CT

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao

品名

Transistors

Collecteur de courant (Ic) (Max)

same as original

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

original standard

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

same as original

Courant-coupure de collecteur (Max)

original standard

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

same as original

Puissance Max

350mW(Ta)

Fréquence-Transition

original standard

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

same as original

Résistance-socle émetteur (R2)

original standard

FET Type

N-Channel

FET Caractéristique

same as original

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

60 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

300mA(Ta)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

30 pF @ 25 V

Fréquence

same as original

Courant nominal (ampères)

original standard

Facteur de bruit

same as original

Alimentation-Sortie

350mW(Ta)

Tension Nominale

same as original

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

4.5V,10V

Vgs (Max)

±20V

Type IGBT

original standard

Configuration

Unique

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

original standard

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

same as original

Entrée

original standard

Thermistance NTC

same as original

Tension-panne (V (BR) GSS)

original standard

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

same as original

Vidange de courant (Id)-Max

original standard

Tension-coupure (VGS off) @ Id

same as original

Résistance-RDS (On)

original standard

Tension

same as original

Tension-Sortie

original standard

Tension-décalage (Vt)

same as original

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

original standard

Courant-vallée (Iv)

same as original

Courant-Crête

original standard

Applications

general purpose

Transistor Type

N-Channel

SPQ

3k/reel

Forward Transconductance - Min:

100 mS

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

1

Number of Elements per Chip

1

Typical Output Capacitance (pF)

6

Qg - Gate Charge:

400 pC

Channel Mode:

Enhancement

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Lead Shape

Gull-wing

Unit Weight:

0.000282 oz

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

19X19X10 cm

Poids brut par article :

1.000 kg

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Quantité (pièce)	1 - 3000	> 3000
Durée estimée (jours)	15	À négocier

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Prix de l’échantillon :

0,7247 CNY/pièce

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