Type de paquet
Trou traversant
Application
LED/Électronique/PCB/Chargeur/Puissance/Onduleur
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine
Tension vers l'avant maximale
1.1V
Tension inverse maximale
1000V
Courant vers l'avant maximal
1A
Courant renversé maximal
5uA
Diode Type
À Usage général Diode
Technologie
Plaquette de silicium IC
Tension-crête inverse (Max)
1000V
Courant-moyenne rectifiée (Io)
1A
Tension-avant (Vf) (Max) @ If
30V
Courant-fuite inverse @ Vr
5A
Température de fonctionnement
-50 °C-150 °C
Type de Support
DIP ou SMD
Diode Configuration
Standard 1N4007 & M7
Tension-inversion cc (Vr) (Max)
5V
Courant-moyenne rectifiée (Io) (par Diode)
1000
Vitesse
Pas de temps de récupération> 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)
30
Dissipation de puissance (maximum)
1
Capacité Rapport État
Standard
Q @ Vr, F
450 @ 3 V, 50MHz
Voltage-Zener (Nom) (Vz)
1.1
Nom du produit
Silicon Redresseurs Diode
Emballage
Tube Plateau Bobine de Bande Sac