Type de montage
Trou à travers
Description
Résistance typique: RDS (on) = 75 Mili Ohm(typ.), Tension de blocage élevée, 100% test d'avalanche, Bonne stabilité et uniformité avec haut EAS
Point d'origine
Zhejiang, China
Type
Transistor Sic MOSFET
Température de fonctionnement
-40 ℃ ~ + 175 ℃
Application
Switch Mode Power Supplies
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
AKCQH080N120B 1200V SiC Puissance MOSFET
Collecteur de courant (Ic) (Max)
33A(TC = 25 ℃), 23.8A(TC = 100 ℃)
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
1225V
Courant-coupure de collecteur (Max)
80A
Température de fonctionnement
-40 °C ~ 175 °C
Type de Support
Trou traversant
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
33A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
95 Milli Ohm
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75nC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF
Courant nominal (ampères)
33A
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2.0-4.2V
Tension-panne (V (BR) GSS)
1200V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
100uA
Vidange de courant (Id)-Max
33A
Résistance-RDS (On)
75 Milli Ohm
Tension-décalage (Vt)
-10/+ 25v
Applications
Puissance d'alimentation en mode de commutation
Transistor Type
Transistor Sic MOSFET, N-canal
Courant de vidange (TC = 25 ℃)
33A
Courant de vidange (TC = 100 ℃)
23.8A
Énergie d'avalanche à impulsion unique
800mJ
Dissipation de puissance maximale (TC = 25 ℃)
300W
Temps de retard de désisement
50ns
Charge totale de la porte
75nC
Courant de vidange pulsé
80A
Application
Puissance d'alimentation en mode de commutation