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(Puissance RF FET 150W 150MHz 50V) transistors MRF150

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
MRF150 transistors
Type
MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage
Through Hole
Description
/
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220-3
Type
JFET, Triode Transistor
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ), Standrad
d/c
In-Stock
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine
Référence croisée
2SJ6920
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Collecteur de courant (Ic) (Max)
15A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
250V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
202A
Courant-coupure de collecteur (Max)
0.5A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 3A, 5V
Puissance Max
333
Fréquence-Transition
30MHz
Type de Support
other
Résistance-socle (R1)
110Ω
Résistance-socle émetteur (R2)
200Ω
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
Sans Objet
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
290m0hm 10A,10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V 250HA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54nC 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF 25V
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
5μA
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
5V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type IGBT
-
Configuration
Sans Objet
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Vidange de courant (Id)-Max
18 A
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
52 mOhms
Tension
55V
Tension-Sortie
40V
Tension-décalage (Vt)
40V
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
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90days
ROHS
Yes
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1pcs
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Brand Name
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