Haute Qualité 5N65C MOSFET N-CH 650 V 5.1A TO220FP FQPF5N65C

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Shenzhen Jeking Electronic Corp.

Fournisseur multi-spécialités9 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

FQPF5N65C

Marque nom

Original Brand

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Point d'origine

Johor, Malaysia

Type

Transistor pentode

Numéro de la pièce

FQPF5N65C

Type de FET

N-canal

Technologie

MOSFET (oxyde métallique)

Drain à la tension de la source (Vdss)

650V

Courant-Drain continu (Id) @ 25 °C

5.1A (Tc)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

930 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250uA

Type de montage

Trou à travers

Paquet de l'appareil du fournisseur

À-220-3

Emballage et livraison

Détails d'emballage

Standard package

Port

Shenzhen

Capacité d'approvisionnement

225832 Morceau/Morceaux per Day

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Description des produits par le fournisseur

10 - 99 pièce

0,60 $US

>= 100 pièce

0,49 $US

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