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Diode de barrière de Schottky du silicium 1SS106 pour la commutation à grande vitesse de divers détecteurs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
Schottky Diode 1SS106
Marque nom
xuyang

Autres attributs

Type
Diode de commutation
Point d'origine
Jiangsu, China
Type de paquet
Trou traversant
Tension vers l'avant maximale
1.2 V
Tension inverse maximale
80 V
Courant vers l'avant maximal
100mA
Courant renversé maximal
0.5A

Emballage et livraison

Détails d'emballage
bande dans la boîte, 5000 pcs/boîte, 100000 pcs/ctn pour 1SS106 De Silicium Barrière de Schottky Diode pour Divers Détecteur Haute Vitesse de Commutation
Port
Any China Port for 1SS106 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector High Speed Switching

Capacité d'approvisionnement

Capacité d'approvisionnement
500000 Morceau/Morceaux per Week pour 1SS106 De Silicium Barrière de Schottky Diode

Description des produits par le fournisseur

Quantité minimale de commande 5000
0,0343 TRY - 2,40 TRY

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