QZ 20N60C3 original 650V 3.9V N-Channel 208W MOS Transistor de puissance TO-220 20N60C3 SPP20N60C3

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Shenzhen QZ Industrial Co., Ltd.

Fournisseur multi-spécialités6 yrs

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

SPP20N60C3

Type

MOSFET

Marque nom

Original brand

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Type de montage

Description

Point d'origine

Original

Package/Boîte

À-220

d/c

Le plus récent (il est aléatoire lors de l'expédition)

品名

Transistor de puissance MOS TO-220

Température de fonctionnement

-55 °C ~ 150 °C (TJ)

Type de Support

Trou traversant

FET Type

N-canal

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

650V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

20.7A

Condition

Nouveau et original

Description

Transistor de puissance MOS

Jonction de fonctionnement/température de stockage

-55 ℃-+ 150 ℃

RDS (sur) maX

190.0mΩ

IDpuls max

62.1A

VDS max

600.0V

ID max

20.7 A

Pd-dissipation de puissance

208W

MPQ

50PCS/bobine

Délai

1-3 jours ouvrables

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 500	501 - 3000	> 3000
Durée estimée (jours)	4	5	À négocier

Description des produits par le fournisseur

50 - 199 pièce

1,99 $US

200 - 499 pièce

1,85 $US

500 - 999 pièce

1,73 $US

>= 1000 pièce

1,65 $US

Quantité

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