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TIP122 TIP127 TIP121 TIP125 TIP126 2W 5A 100V TO-220 Transistors de puissance Darlington au silicium
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Attributs clés
Spécification de l'industrie de base.
Numéro de Type
TIP122
Type
Transistor Darlington
Marque nom
JSMSEMI
Type de paquet
Traversants
Autres attributs
Type de montage
TO-220
Description
5A 100V Darlington Power Transistors
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
TO-220
d/c
2024
Application
À Usage général
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine
Référence croisée
TIP127
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
Darlington Transistors
Collecteur de courant (Ic) (Max)
5A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
100V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
0
Courant-coupure de collecteur (Max)
5A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100V
Puissance Max
2W
Température de fonctionnement
-55-150
Type de Support
Trou traversant
Résistance-socle (R1)
0
Résistance-socle émetteur (R2)
0
FET Type
Transistor
FET Caractéristique
Carbure de silicium (SiC)
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
5A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
0
Vgs (th) (Max) @ Id
0
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
0
Fréquence
0
Courant nominal (ampères)
5A
Facteur de bruit
0
Alimentation-Sortie
2W
Tension Nominale
100V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
100V
Type IGBT
Transistor
Configuration
Sans Objet
Entrée
2W
Tension-panne (V (BR) GSS)
100V
Vidange de courant (Id)-Max
5A
Tension
100V
Tension-Sortie
100V
Tension-décalage (Vt)
100V
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
5A
Courant-vallée (Iv)
5A
Courant-Crête
5A
Applications
Medium Power Linear Switching
Transistor Type
Transistor
Emballage et livraison
Unités de vente :
Multiple de 1000
Taille du paquet par lot :
60X16X5 cm
Poids brut par lot :
2.650 kg
Personnalisation
Logo personnalisé
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