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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

2N7002

Type

MOSFET

Marque nom

JSMSEMI

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

SOT23

Description

60V MOSFET

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

SOT23

Type

SMD

Température de fonctionnement

-55-150C

Série

2N7002

d/c

2024

Application

MOSFET

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine

Référence croisée

MMBT7002, 2N7002K, 2N7002L, 2N7002KL, 2N7002BK, 2N7002E, 2N7002KB, 2N7002T, 2N7002MTF-NL, 2N7002ET1G, 2N7002LT1G, 2N7002A-7-F, 2N7002KA, MMBT7002K

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

N-channel MOS

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

60V

Courant-coupure de collecteur (Max)

115MA

Puissance Max

200MW

Température de fonctionnement

-55-150C

Type de Support

Montage en Surface

FET Type

MOS

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

60V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

115MA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

115MA

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

20PF

Courant nominal (ampères)

115MA

Alimentation-Sortie

200MW

Tension Nominale

60V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

60V

Type IGBT

MOS

Configuration

Sans Objet

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

115MA

Tension-panne (V (BR) GSS)

60V

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

115MA

Vidange de courant (Id)-Max

115MA

Tension

60V

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

60V

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

115MA

Courant-vallée (Iv)

115MA

Courant-Crête

115MA

Applications

Consumer electronics

Transistor Type

N CHANNAL MOS

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

22X22X4 cm

Poids brut par article :

0.150 kg

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