Type de montage
Trou à travers
Description
Faible sur-Résistance, 100% test d'avalanche, Bonne stabilité et uniformité avec haut EAS, Technologie de processus spécial pour une capacité ESD élevée
Point d'origine
Zhejiang, China
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ + 150 ℃
Application
Ballasts de lampe électronique
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
MOSFET de puissance à canal N AKQPF4N90CL 900V 4A
Collecteur de courant (Ic) (Max)
4A(TC = 25 ℃), 2.3A(TC = 100 ℃)
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
900V
Courant-coupure de collecteur (Max)
16A
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C
Type de Support
Trou traversant
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
900V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18nC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
813pF
Courant nominal (ampères)
4A
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
3-5V
Tension-panne (V (BR) GSS)
900V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
10uA
Vidange de courant (Id)-Max
4A
Résistance-RDS (On)
2,85 Ohm
Tension-décalage (Vt)
± 30V
Applications
Mode commuté Alimentations électriques
Transistor Type
Transistor MOSFET, N-canal, Mode d'amélioration
Courant de vidange (TC = 25 ℃)
4A
Courant de vidange (TC = 100 ℃)
2.3A
Énergie d'avalanche à impulsion unique
200mJ
Dissipation de puissance maximale (TC = 25 ℃)
115W
Temps de retard de désisement
48ns
Charge totale de la porte
18nC
Application 1
Mode commuté Alimentations électriques
Application 2
Correction du facteur de puissance actif, ballasts électroniques