Type de montage
Trous à travers
Description
Impédance d'entrée élevée, T rr = 46ns (typ.), VCE(sat)= 2,30 V (typ.) @ IC = 40A, Transistor IGBT pour trench d'arrêt de champ 600V40A, Coefficient de température positif, Commutation à grande vitesse et faible perte de puissance
Point d'origine
Zhejiang, China
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ + 150 ℃ (TJ)
Application
Soudeur PFC UPS et inverseur PV
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
Transistor AKG40T60SMN IGBT 600V 40A
Collecteur de courant (Ic) (Max)
40A(TC = 100 ℃), 80A(TC = 25 ℃)
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
600V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
2.30V
Courant-coupure de collecteur (Max)
40A
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Type de Support
Trou traversant
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
161nC
Courant nominal (ampères)
40A
Type IGBT
Tranchée FieldStop
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.30V
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
1685pF
Vidange de courant (Id)-Max
40A
Tension-décalage (Vt)
± 20V
Applications
Soudeur PFC UPS et inverseur PV
Transistor Type
Transistor IGBT
Courant collecteur 1
40A(TC = 100 ℃)
Courant collecteur 2
80A(TC = 25 ℃)
Courant de collecteur pulsé
120A
Courant avant continu de diode
20A
Courant avant maximum de diode
60A
VCE(sat)
2.30V (typ.) IC = 40A