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In Stock SO8 30V 9.6A TR MOSFET Transistors NTMS4177P NTMS4177PR2G

Pas encore d’avis
Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.Fournisseur multi-spécialités15 yrsCN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
NTMS4177PR2G
Type
transistors
Marque nom
Original manufacturer
Type de paquet
Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage
Surface Mount
Description
MOSFET PChannel -40V -3.4A 112mOhm 25nC
Point d'origine
Taiwan, China
Package/Boîte
-standard
Série
Standard
d/c
New Date code
Application
MOSFET
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine, ODM, L'agence, Détaillant
Référence croisée
-
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
Transistors
Collecteur de courant (Ic) (Max)
standard
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
standard
Courant-coupure de collecteur (Max)
-standard
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-standard
Puissance Max
-standard
Fréquence-Transition
-standard
Température de fonctionnement
-standard
Type de Support
Montage en Surface
Résistance-socle (R1)
standard
Résistance-socle émetteur (R2)
standard
FET Type
Transistors
FET Caractéristique
standard-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-standard
Vgs (th) (Max) @ Id
-standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
-standard
Facteur de bruit
-standard
Alimentation-Sortie
-standard
Tension Nominale
-standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
-standard
Configuration
-standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-standard
Entrée
-standard
Thermistance NTC
-standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
-standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-standard
Vidange de courant (Id)-Max
-standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-standard
Résistance-RDS (On)
-standard
Tension
-standard
Tension-Sortie
-standard
Tension-décalage (Vt)
-standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-standard
Courant-vallée (Iv)
-standard
Courant-Crête
-standard
Applications
-standard
Lead Free Status
RoHS Compliant
Condition
Original manufacturer
Supplier
Electronic Components
Transistor Polarity:
200 V
Technology
P-Channel
Number of Channels:
1
Rds On - Drain-Source Resistance:
19 mOhms
Qg - Gate Charge:
55 nC
Pd - Power Dissipation:
2.5 W
Channel Mode:
Enhancement

Emballage et livraison

Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
XX cm
Poids brut par article :
kg

Délai

Quantité (pièce)1 - 1000 > 1000
Durée estimée (jours)2À négocier

Description des produits par le fournisseur

10 - 999 pièce
1,00 $US
1000 - 24999 pièce
0,30 $US
>= 25000 pièce
0,15 $US

Variantes

Total des options :

Expédition

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